ترانزیستور بدون پیوند تونلی

آنچه که بعد از خرید در اختیارتان قرار می گیرد: 1. فایل WORD فارسی مقاله، 2. فایل PDF فارسی مقاله، 3. فایل انگلیسی مقاله

نمونه ترجمه:

چکیده: در این مقاله طرح یک ترانزیستور n کانالی با سه گیت را مطرح کرده‌ایم. که آن را ترانزیستور اثر میدانی بدون پیوند می‌نامیم (JLTFET). JLTFET یک ترانزیستور بدون پیوند کاملاً آلایش یافته است. که با محدود کردن مانع بین منبع و کانال دستگاه برای روشن و خاموش کردن افزاره از مفهوم تونل زنی استفاده می‌کند. شبیه سازی نشان می‌دهد که نسبت ION/IOFF و شیب آستانه این نوعع ترانزیستورر در مقایسه با ترانزیستور ساده بدون پیوند با اثر میدانی پیشرفت قابل توجهی دارد.

در این جا، ترانزیستورهای اثر میدانی تونلی بدون پیوند را با دی الکتریک با ضریب بالا و پاینن را از طریق شبیه سازی بررسی میکنیم. و جریان روشنایی ۰٫۲۵ mA/um را برای ولتاژ گیت ۲V و جریان خاموشی ۳ pA/um (با صرفه نظر کردن از نشتی گیت) به دست آورده‌ایم. بعلاوه، دستگاه پیشنهادی با نسبت ۱۰۹ عملکرد بهینه‌ای را در ION/IOFF از خود نشان داده است. علاوه بر این، در JLTFETT شبیهه سازی شده در دمای اتاق، برای دروازه‌ای با طول ۵۰ nm شیب زیرآستانه ۴۷ mV/dec به دست آمده است، که نشان می‌دهد JLTFETTT یک جایگزین نویدبخش برای عملکرد سوئیچینگ است.

کلیدواژه‌ها: FET تونلی بدون پیوند (JLTFET). تونل زنی باند به باند (BTBT). شیب زیرآستانه. دی الکتریک High-K.